Samsung Galaxy S23 FE sẽ ra mắt vào quý 3 năm nay với tư cách là thành viên không thể thiếu của dòng Galaxy S23, nhưng có vẻ như nó sẽ không được thống nhất trên cùng một chipset trên toàn cầu.
Kết quả chạy Geekbench và các trang hỗ trợ chính thức tiết lộ Galaxy S23 FE sẽ chạy các chipset khác nhau, tùy thuộc vào thị trường. Biến thể toàn cầu sẽ mang Exynos 2200 4nm với 8GB RAM. Đây là chipset tương tự như Galaxy S22 Ultra và là chipset bị chỉ trích là kém tiết kiệm năng lượng hơn so với sản phẩm ngang hàng do Qualcomm sản xuất. Lý do chính đằng sau sự chênh lệch về hiệu quả được cho là quy trình sản xuất 4nm của Samsung không hiệu quả bằng quy trình 4nm của TSMC.
Samsung Galaxy S23 FE toàn cầu
Ngẫu nhiên, biến thể Hoa Kỳ của Galaxy S23 FE sẽ dựa trên chính nút TSMC 4nm đó nhờ chipset Snapdragon 8+ Gen 1. Nó cũng sẽ được ghép nối với 8GB RAM.
Qualcomm thường được coi là sự lựa chọn tốt hơn, đến nỗi Samsung thậm chí đã tiết lộ một chiếc Galaxy S21 FE chạy Snapdragon 888 ở Ấn Độ trong tuần này.
Samsung Galaxy S23 FE Mỹ
Nhìn xa hơn về chipset, Galaxy S23 FE sẽ có màn hình AMOLED 6,4 inch 120Hz, pin 4.500mAh với sạc 25W và camera chính 50MP.