Sản phẩm của SK Hynix có thể đạt tốc độ 8Gbps/pin và sản phẩm của Micron có thể đạt tới 9,2Gbps/pin.
Samsung cho biết Shinebolt có tốc độ ấn tượng 9,8 gigabit/giây/pin, cho phép nó đạt tốc độ truyền vượt quá 1,2 terabyte/giây (TBps).
Samsung khẳng định, họ đã tối ưu hóa công nghệ màng không dẫn điện (NCF) để loại bỏ khoảng trống giữa các lớp chip, đồng thời tăng cường độ dẫn nhiệt để cải thiện các đặc tính nhiệt.
Shinebolt đã được đưa vào sản xuất hàng loạt và các mẫu hiện đang được chuyển đến khách hàng, chúng tôi được biết. Tìm kiếm lô sản phẩm đầu tiên giúp tăng tốc độ đào tạo mô hình AI trong trung tâm dữ liệu.
Samsung cũng giới thiệu sản phẩm GDDR7 của mình và được coi là ví dụ đầu tiên về tốc độ 32Gbps trong ngành. Nó sẽ đóng vai trò là phiên bản kế thừa của GDDR6, được ra mắt lần đầu tiên trên dòng thẻ Nvidia GeForce 20 vào năm 2018. GDDR6X đã tăng tốc mọi thứ một chút khi bắt đầu với RTX 30 Series nhưng thậm chí đến thời điểm này, nó vẫn đã hơn ba năm tuổi và sắp được nâng cấp.
Hồi tháng 7, Samsung cho biết GDDR7 sẽ tiết kiệm năng lượng hơn 20% so với GDDR6 và sẽ đi kèm với tùy chọn điện áp hoạt động thấp cho các ứng dụng quan tâm đến việc sử dụng năng lượng. Gã khổng lồ công nghệ cũng tiết lộ rằng GDDR7 sẽ cho phép băng thông lên tới 1,5TBps một phần nhờ vào việc sử dụng tín hiệu Điều chế biên độ xung (PAM3) thay vì phương pháp Non Return to Zero (NRZ) cũ hơn.
Yongcheol Bae, Phó Giám đốc điều hành nhóm lập kế hoạch sản phẩm bộ nhớ tại Samsung, cho biết GDDR7 sẽ được đưa ra thị trường phù hợp với nhu cầu của ngành, đồng thời cho biết thêm rằng họ có kế hoạch tiếp tục dẫn đầu trong lĩnh vực này.