Samsung ฤรฃ cรดng bแป viแปc bแป sung cรดng nghแป xแปญ lรฝ FinFET 11 nm (nanomet) hoร n toร n mแปi,ย cung cแบฅp tฤng hiแปu suแบฅt lรชn ฤแบฟn 15% so vแปi bแป vi xแปญ lรฝ ฤฦฐแปฃc xรขy dแปฑng trรชn cรดng nghแป 14LPP.
Trong thรดng cรกo bรกo chรญ cแปงa mรฌnh, Samsung cho biแบฟt rแบฑng quy trรฌnh cรดng nghแป 11LPP mแปi (cรดng suแบฅt thแบฅp) cung cแบฅp tฤng hiแปu suแบฅt lรชn ฤแบฟn 15% so vแปi bแป vi xแปญ lรฝ ฤฦฐแปฃc xรขy dแปฑng trรชn cรดng nghแป 14LPP. Cรกc chรญp xแปญ lรฝ ฤฦฐแปฃc sแบฃn xuแบฅt trรชn quy trรฌnh 14nm cรณ thแป ฤฦฐแปฃc tรฌm thแบฅy trรชn mแปt sแป thร nh viรชn cแปงa loแบกt sแบฃn phแบฉm dรฒng smartphone tแบงm trung A vร J cแปงa nฤm 2017. Ngoร i ra, bแป vi xแปญ lรฝ ฤฦฐแปฃc xรขy dแปฑng trรชn cรดng nghแป 11LPP sแบฝ nhแป hฦกn 10% so vแปi 14 LPP trong khi duy trรฌ mแปฉc tiรชu thแปฅ ฤiแปn nฤng nhฦฐ nhau.
Ryan Lee, Phรณ chแปง tแปch vร tiแบฟp thแป cแปงa Samsung Electronics chia sแบป suy nghฤฉ cแปงa รดng vแป cรดng nghแป mแปi nhแบฅt cho biแบฟt: โSamsung ฤรฃ bแป sung quy trรฌnh 11 nm vร o lแป trรฌnh cแปงa chรบng tรดi ฤแป cung cแบฅp cรกc tรนy chแปn nรขng cao cho cรกc แปฉng dแปฅng khรกc nhau. Qua ฤรณ, Samsung ฤรฃ hoร n thร nh mแปt lแป trรฌnh toร n diแปn tแปซ 14 nm ฤแบฟn 11 nm, 10 nm, 8 nm vร 7 nm trong ba nฤm tแปiโ.
Cรดng nghแป mแปi dแปฑ kiแบฟn sแบฝ ฤฦฐแปฃc hoร n thร nh trong nแปญa ฤแบงu nฤm 2018. Samsung cho biแบฟt, hแป sแบฝ trang bแป cรดng nghแป chip dร nh cho thiแบฟt bแป di ฤแปng tแบงm trung vร tแบงm cao. Chรบng tรดi nghi ngแป rแบฑng cรกc แปฉng cแปญ viรชn chรญnh cho cรกc chรญp xแปญ lรฝ nร y sแบฝ lร Galaxy A, J, vร C cแปงa nฤm sau.
Hรฃng nร y cลฉng khแบณng ฤแปnh rแบฑng sแปฑ phรกt triแปn cแปงa cรดng nghแป in 7LPP EUV (extreme ultra violet) ฤang theo ฤรบng lแป trรฌnh vร sแบฝ ฤฦฐแปฃc ฤฦฐa vร o sแบฃn xuแบฅt vร o ฤแบงu nฤm 2018.
Theo Dรขn Viแปt
