Các mô-đun công suất dựa trên SBD 700, 1200 và 1700V tối đa hóa hiệu suất chuyển mạch, giảm bớt mức tăng nhiệt và thu nhỏ kích thước hệ thống.
Nhu cầu về các hệ thống dựa trên SiC (Silicon Carbide) tiếp tục tăng trưởng nhanh chóng để tối đa hóa hiệu suất và thu nhỏ kích thước, trọng lượng, giúp các kỹ sư tạo ra những giải pháp công suất sáng tạo. Các ứng dụng sử dụng công nghệ SiC bao gồm từ xe chạy điện và trạm sạc cho tới lưới điện thông minh cũng như các hệ thống công suất công nghiệp và máy bay. Do đó, Microchip Technology Inc. đã công bố danh mục mở rộng của các mô-đun nguồn SiC với đặc điểm nhỏ, nhẹ và hiệu quả hơn. Cùng với danh mục đa dạng của các bộ vi điều khiểu (microcontrollers – MCU) và các sản phẩm analog, Microchip đáp ứng nhu cầu về điều khiển hệ thống công suất lớn, biến tần và mạch động lực – hỗ trợ khách hàng bằng những giải pháp hệ thống tổng thể.
Dòng sản phẩm SiC của Microchip bao gồm các mô-đun công suất dựa trên SBD (Schottky Barrier Diode) đã được kiểm chứng về mặt thương mại với các phiên bản 700, 1200 và 1700V. Dòng sản phẩm mô-đun công suất mới bao gồm nhiều tô-pô khác nhau, như là Dual Diode, Full Bridge, Phase Leg, Dual Common Cathode và cầu nối 3-Pha, cùng với việc cung cấp các lựa chọn khác nhau về dòng điện và đóng gói sản phẩm. Việc bổ sung các mô-đun SiC SBD đơn giản hóa các thiết kế bằng cách tích hợp nhiều đế đi-ốt SiC với lựa chọn kết hợp các vật liệu nền trong cùng một mô-đun – qua đó tối đa hóa hiệu suất chuyển mạch, giảm mức tăng nhiệt và thu nhỏ kích thước hệ thống.
“Việc ứng dụng và mở rộng công nghệ SiC tạo động lực cho hoạt động đổi mới sáng tạo hệ thống hiện nay và Microchip đang đi tiên phong, cùng hợp tác với khách hàng trong nhiều phân khúc và khu vực trên phạm vi toàn cầu,” ông Leon Gross, phó chủ tịch phụ trách bộ phận sản phẩm rời rạc (Discrete Product Group) của Microchip phát biểu. “Trọng tâm của chúng tôi tiếp tục được đặt vào việc cung cấp các giải pháp sáng tạo và tin cậy. Từ ý tưởng cho tới công bố sản phẩm, công nghệ SiC của chúng tôi đảm bảo độ tin cậy và độ cứng vững vượt trội, giúp các nhà thiết kế hệ thống đảm bảo vòng đời ứng dụng lâu dài mà không có hiện tượng sụt giảm hiệu năng.”
Danh mục mô-đun SiC SBD 700, 1200 và 1700V linh hoạt sử dụng đế SiC thế hệ mới nhất của Microchip, qua đó tối đa hóa độ tin cậy và độ cứng vững của hệ thống đồng thời đảm bảo vòng đời ứng dụng lâu dài và ổn định. Hiệu năng cao của thiết bị cho phép các nhà thiết kế hệ thống hạ thấp nhu cầu về mạch bảo vệ (snubber circuits) trong khi độ ổn định của đi-ốt chính cho phép các thiết kế sử dụng đi-ốt chính bên trong mà không bị suy giảm hiệu năng trong dài hạn. Thông qua các phép đo kiểm nội bộ của Microchip cũng như của bên thứ ba, các thước đo kiểm độ tin cậy quan trọng đã chứng tỏ hiệu năng vượt trội của thiết bị Microchip so với các thiết bị SiC khác.
Các công cụ phát triển
Giải pháp hiệu chỉnh hệ số công suất 30 kW 3-Phase Vienna (PFC), mô-đun SiC rời và SP3/SP6LI của công ty hỗ trợ các thiết kế/bo mạch tham chiếu và mang đến cho các nhà phát triển hệ thống những công cụ để rút ngắn thời gian phát triển.
Sự sẵn sàng của sản phẩm
Các mô-đun công suất SiC SBD 700, 1200 và 1700V của Microchip đã được công bố và sẵn sàng để đặt hàng. Toàn bộ danh mục SiC được hỗ trợ bởi một loạt các model SiC SPICE, các thiết kế tham chiếu về bo mạch biến tần SiC cũng như thiết kế tham chiếu PFC Vienna. Các sản phẩm SiC của Microchip sẵn sàng với số lượng lớn cùng với các dịch vụ hỗ trợ kèm theo. Có sẵn nhiều lựa chọn về đế và đóng gói dành cho các sản phẩm đi-ốt SiC MOSFET và SiC.
Để tìm hiểu thêm thông tin, bao gồm cả thông tin về giá sản phẩm, vui lòng liên hệ cán bộ kinh doanh, nhà phân phối ủy quyền trên toàn cầu của chúng tôi hoặc truy cập trang web về danh mục sản phẩm SiC của Microchip. Để mua những sản phẩm được đề cập ở trên, vui lòng liên hệ nhà phân phối ủy quyền của Microchip.
[blog type=”alt” heading=”Xem thêm bài mới nhất” heading_type=”block” /]