Sản phẩm của SK Hynix có thể đạt tốc độ 8Gbps/pin và sản phẩm của Micron có thể đạt tới 9,2Gbps/pin. Samsung cho biết Shinebolt có tốc độ ấn tượng 9,8 gigabit/giây/pin, cho phép nó đạt tốc độ truyền vượt quá 1,2 terabyte/giây (TBps). Samsung khẳng định, họ đã tối ưu hóa công nghệ màng [...]

>> Xem chi tiết bài viết Bộ nhớ Shinebolt HBM3E của Samsung đạt tốc độ gần 10Gbps của tác giả Media Outreach Newswire được đăng trên TechTimes Vietnam.

Khi các nhà sản xuất tiếp tục chạy đua để tăng hiệu năng của mô-đun bộ nhớ GDDR6 và GDDR6X thì Samsung công bố GDDR6W – được cho là có thể cạnh tranh với băng thông và tốc độ của HBM2. Vào năm 2016, Samsung và các nhà sản xuất khác đã bắt đầu sản [...]

>> Xem chi tiết bài viết Samsung công bố bộ nhớ GDDR6W mới, đối thủ của HBM2 của tác giả Huy Hoàng được đăng trên TechTimes Vietnam.

Sau khi ra mắt chip nhúng Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 512 GB vào cuối năm 2017, Samsung vừa tiếp tục công bố phiên bản thế hệ tiếp theo eUFS 3.0 512 GB với tốc độ đọc/ghi ấn tượng. Theo Neowin, gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc tuyên bố rằng chip nhớ eUFS 3.0 [...]

>> Xem chi tiết bài viết Samsung công bố chip eUFS 3.0 tốc độ siêu nhanh cho thiết bị di động của tác giả Đinh Bảo được đăng trên TechTimes Vietnam.